LF-1001 Изучение процессов накачки твердотельного лазера на кристалле Y₃Al₅O₁₂:Nd
Лабораторная работа посвящена определению оптимальной длины волны полупроводникового лазера при накачке на уровень ⁴F₅/₂ ионов Nd³⁺ в кристаллах YAG:Nd. Методика основана на зависимости длины волны излучения лазерного диода от температуры.
Осциллограф 100 МГц, учебный оптический стол ОТ750-1200, измеритель оптической мощности, спектрометр.
- Лазерный диодный модуль (P=1 Вт, λ=808 нм) — 1 шт.
- Терминал управления диодным лазером — 1 шт.
- Фотодетектор в держателе — 1 шт.
- Мультиметр цифровой — 1 шт.
- Оптический рельс — 1 шт.
- Комплект оптических элементов — 1 комп.
- Активный элемент из кристалла Y₃Al₅O₁₂:Nd — 1 шт.
- Визуализатор лазерного излучения — 1 шт.
- Лазерные защитные очки — 1 шт.
- Диафрагма в держателе — 1 шт.